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G-31B6型高精密雙面光刻機

簡介—— 一、主要用途主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。二、設

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一、主要用途

主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。


二、設備主要性能指標:

1、工作臺行程(X向、Y向/Z向/θ向):±5mm/10mm/±5°;

2、適用基片尺寸: ≤6英寸;

3、掩模版尺寸:≤ 7″(175×175 mm);

4、對準精度(正面對準/背面對準):±1um/±2um;

5、放大倍率:51×~570×(ccd連續);

6、曝光光源:UV365,500W超高壓汞燈;

7、曝光面積:φ160mm;

8、曝光分辨率:2 um(膠厚≤1 um,正膠、真空接觸);

9、光強: ≥ 5mW/cm2;

10、曝光不均勻性:±5%;

11、曝光時間:0~999.9s;

12、外形尺寸:機體1300 mm(長)×720 mm(寬)×1500mm(高)。

三、工作原理及結構說明:

1、本機由主機、工作臺、電控箱組成

主機由曝光頭(上下曝光頭各一個),單視場變倍顯微鏡(二個),CCD攝像頭(二個),監視器一臺,以及上掩版夾盤和翻轉裝置,下掩版夾盤和X、Y、Q調整裝置組成。

電氣控制部份安裝在工作臺后面和工作臺左上側內。

主機的構成:

1)主機(含機體和工作臺)

2)機體上安裝二臺單視場可變倍數顯微鏡,二臺CCD攝像頭,一臺19"監視器,一套由精密加工件組成的上下翻版裝置,二臺由16面反射鏡組成的多點光源曝光頭。

2、多點光源曝光頭(二臺)

A、 350W超高壓汞燈發出強紫外線光,經16面反射鏡形成多點光源,光的不均勻性可達:±4%(Φ4”),用3650測頭測量,光強度≥6mW/cm2。

B、 照度不均勻性測量及計算:(用UV-A型照度計)

U=±[(E最大—E最?。?(E最大+E最?。×100%,測量5點。

C、 曝光時間控制:本機采用進口的時間繼電器,可進行0.1-999.9秒曝光時間預設。

3、顯示系統和對準裝置

采用2個單視?。殺潯叮└叻直媛氏暈⒕?,通過兩個CCD攝像頭,用雙圖面方式顯示到監控器熒光屏上。

A、 兩個單視場變倍顯微鏡加二個CCD攝像機加19"監視器。

1)二個單視場變倍顯微鏡的變倍范圍1.6X-10X.

2)二個CCD攝像頭:平面對角線尺為1/3"。

3)采用19"液晶監視器,總放大倍數為91倍-570倍。

B、對準臺

首先真空吸附下掩版(注意掩版四個邊,平行于真空吸附下掩版的裝置四個邊),然后將上掩版放在下掩版上,轉動曝光頭位置,使兩個單視場顯微鏡對準上掩版,調好左右兩個顯微鏡的焦距,從監視屏上看清兩個圖像,調整下掩版X、Y和Q轉動,使上掩版上的圖像或標記線顯視到監視器屏的左右分開的中間位置,然后真空吸附上掩版。上掩版一旦吸附后,再也不能移動。通過下掩版進行X、Y和Q移動后,實現上下掩版的對準工作。

該機的主要優點是,有一個上掩版相對于下掩版的翻轉機構,該機構翻轉角度≥90o,甚至可達180o,不僅便于上下基片,而且能保證上下掩版對應基片上下面的良好接觸(能補償基片的楔形誤差),又能保證上下掩版對準了的圖形重合到原來位置,其誤差≤5μm。上下掩版對準后,不管怎么翻動,怎樣上下基片,上下掩版的圖形仍然是對準的!這對大批量生產的廠家來說很重要,只要上下掩版對準后,你就可以不斷地對基片進行雙面曝光,曝光若干片以后,你如果想觀察上下掩版是否仍然對準的,你只要轉動曝光頭,使顯微鏡對準版,你就能在監視器上看見,兩個版的對準情況。

X、Y調整范圍±4mm

Q轉角≤±5o

C、 兩物鏡距離為40-100mm內可調,操作者可在監視器上同時看清二物鏡里的像,因此,上版和下版的對準工作非常容易。

D、 對準裝置:

1)2個單視場顯微鏡可以進行物距調整,也可以進行焦距調整。

2)下掩版裝置可進行X、Y(各±4mm)調整和Q角±5o轉角調整。

3)汞燈的最大亮度輸出和光的不均勻性調整,可通過曝光頭上面的X、Y、Z調整各±4mm。




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